Enhanced Memory Systems, Inc 公司开发的一种SDRAM，带有一个小型的静态存储器。在嵌入式系统中， ESDRAM代替了昂贵的SRAM （静态随机存储器），其速度与SRAM相当，但成本和耗电量却比后者低得多。
Even Parity－偶校验
一种来检测数据完整性的方法。与奇校验相反，8个数据位与校验位加起来有偶数个1。具体参考Odd Parity奇校验。
FCRAM (Fast-Cycle RAM)－快速周期随机存储器
东芝（Toshiba）和富士通（Fujitsu）公司正在开发的一种内存技术。开发FCRAM 的目的不是用来做PC机的主存，而是用在某些特殊的设备：例如一些高端服务器、打印机，还有一些远程通讯的交换系统。
Fast-Page Mode－快速翻页模式
一种比较老的DRAM。与比它还早的页面模式内存技术相比，它的优势是在访问同一行的数据时速度比较快。
Firmware－固件，韧件
简单地说，就是含有程序的存储器，负责管理所附装置的底层数据和资源。
Flash Memory－闪烁存储器，闪存
闪烁存储器在断电情况下仍能保持所存储的数据信息，但是数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位。区块大小一般由256K到20MB。FLASH这个词最初由东芝因为该芯片的瞬间清除能力而提出。源于EPROM，闪存芯片价格不高，存储容量大。闪存正在成为EPROM的替代品，因为它们很容易被升级。闪存被用于PCMCIA卡，PCMCIA闪存盘，其它形式硬盘，嵌入式控制器和SMART MEDIA。如果闪存或其它相关的衍生技术能够在一定的时间内清除一个字节，那将导致永久性的（不易失）RAM的到来。
Form Factor－形态特征
用来描述硬件的一些技术规格，例如尺寸、配置等。比方说，内存的形态特征有：SIMM（单边）, DIMM（双边）, RIMM（总线式）, 30线, 72线, and 168线。
FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM)－快速翻页动态存储器
一种改良型的DRAM，一般为30线或72线内存。
若CPU所需的地址在同一行内，在送出行地址后，就可以连续送出列地址，而不必再输出行地址。一般来讲，程序或数据在内存中排列的地址是连续的，那么输出行地址后连续输出列地址，就可以得到所需数据。这和以前DRAM存取方式相比要先进一些（必须送出行地址、列地址才可读写数据）。
FSB (Frontside Bus)-前端总线
在CPU和内存之间的数据通道。
Gigabyte /GB－吉(咖)字节
约为10亿字节，准确的数值为1,0243 (1,073,741,824) 字节。
Gigabit /Gb－吉(咖)比特，吉位
约为10亿位，准确的数值为1,0243 (1,073,741,824) bit。
Heat Spreader－散热片
覆盖在电子设备上的用于散热的外壳，多为铝制品。
Heat Sink－散热片
CPU上常用的散热部件，一般为锌合金制造。
HY （Hyundai）－韩国现代电子公司
Hyper Page Mode DRAM
同EDO DRAM
IC (Integrated Circuit)－集成电路
半导体芯片上的电路（有时也被称为芯片或微芯片）由成千上万个微小电阻、电容、晶体管组成。半导体芯片通常封装在塑料或者陶瓷的外壳中，导线引脚露在外面。
特殊的IC 根据其作用可以分为线性芯片和数字芯片。
主要的内存IC厂商代号：
代 号
厂商英文名
厂商中文名
代 号
厂商英文名
厂商中文名
KM
SamSung
三星
TC
Toshiba
东芝
LH
Sharp
夏普
MN
Panasonic
松下
HM
Hitachi
日立
HY
Hyundai
现代
M5M
Mitsubishi
三菱
GM
LG_Semicon
金星
MCM
Motorola
摩托罗拉
MSM
OKI
冲电子
MT
Micron
迈克龙
MB
Fujitsu
富士通
TMS
TI
德州仪器
AAA
NMB
1
uPD
NEC
日电
2
3
4
Interleaving －交叉存取技术
加快内存速度的一种技术。举例来说，将存储体的奇数地址和偶数地址部分分开，这样当前字节被刷新时，可以不影响下一个字节的访问。
IT (Information Technology)－信息技术
IT行业，指与计算机、网络和通信相关的技术。