Nibble －半字节, 四位字节

Non-Composite
　苹果电脑的内存术语，表示一种采用了新技术的内存条。该内存条上的芯片颗粒很少，但数据密度却非常高。Non-composite 内存条比 composite 内存条工作更可靠，但价格也相对很高。

Odd Parity－奇校验
　校核数据完整性的一种方法，一个字节的8个数据位与校验位（parity bit ）加起来之和有奇数个1。校验线路在收到数后，通过发生器在校验位填上0或1，以保证和是奇数个1。因此，校验位是0时，数据位中应该有奇数个1；而校验位是1时，数据位应该有偶数个1。如果读取数据时发现与此规则不符，CPU会下令重新传输数据。

Page mode－页面模式
　现在该技术已经被淘汰。在页面模式下，每次访问DRAM的同一行的每一列时，都会十分迅速。（参考FPM）

Parity：（Even / Odd）－奇偶校验
　也叫Parity Check，在每个字节（Byte）上加一个数据位（Data Bit）对数据进行检查的一种冗余校验法。它是根据二进制字节中的"0"或"1"的数目是奇数还是偶数来进行校验的。在二进制字节中增加了一个附加位，用来表示该字节中的"0"或"1"的数目是奇数还是偶数。经过传输或存储后，再计算一次校验和（Checksum），如果与附加位一致，证明传输或存储中没有错误。
　奇偶校验位主要用来检查其它8位（1 Byte）上的错误，但是它不象ECC（Error Correcting Code错误更正码），parity只能检查出错误而不能更正错误。奇偶校验的致命弱点是检查出错误后无法断定错在哪一位，容易死机，所以现在很少用了。取而代之的是ECC。

PB-SRAM （Pipelined Burst SRAM）－管道突发式静态内存
　属于Level 2 Cache，多用于486后期及Pentium以上的主板。

PC100
　JEDEC 和Intel制定的一种SDRAM内存颗粒（或内存条）技术标准。其中100是指该内存能工作在前端总线（FSB）100MHz的系统中。
　当初，PC100规范是为配合INTEL推出BX芯片组制定的准则，其规范条款很多，但主要有以下几点：
　1、TCK（CLOCK、CYCLE、TIME）内存时钟周期，在100MHZ外频工作时值为10ns;
　2、TAC（ACCESS TIME FRONCLK）存取时间小于6ns；
　3、PCB必须为六层板，可以滤掉杂波；
　4、内存上必须有SPD，SPD一般由内存模组制造商写入，设定内存工作参数。

PC133
　IBM和Reliance电子公司制定的一种内存芯片（或内存条）技术标准，其中的133指的是该内存工作频率可达133MHz。
　严格地说，PC133和PC100内存在制造工艺上没有什么太大的不同，区别只是在制造PC133内存时多了一道"筛选"工序，把内存颗粒中外频超过133 MHz的挑选出来，焊接成高档一些的内存。

PCB (Printed Circuit Board)
　 印刷电路板电子板卡的基础，由若干层导体和绝缘体组成的平板。电路图纸上的线路都蚀刻在其上，然后焊接上电子元件。主板、内存等电脑配件都是PCB焊接出来的。
PC Card－PC卡
　一种形如信用卡的计算机设备，符合PCMCIA总线标准。通常用来作为计算机的辅助存储器（ROM或RAM）、调制解调器、传真机调制解调器，以及便携式电脑上的存储器。

PCMCIA（Personal Computer Memory Card International Association）
　个人计算机存储卡国际协会。一般用来指一种标准的卡式扩充接口，多用于笔记本电脑或激光打印机等设备上。分以下几种:
　TypeI：厚度为3.3mm，一般有SRAM、Flash、RAM存储卡；
　TypeII：厚度为5.5mm，通常设计为调制解调器接口；
　TypeIII：厚度为10.5mm，通常作为连接电子硬盘的ATX接口。
　另外还有衍生出来另外一种小型的PCMCIA flash card，一般用于数码相机、掌上电脑、路由器等设备上。

PCI (Peripheral Component Interconnect) －外设扩展接口
　PCI是在VESA（Video Electronics Standards Association,视频电子标准协会）基础上发展起来的总线技术，是现在电脑最主要的设备接口。该总线一次能同时发送32或64位数据，并有即插即用功能。目前最常用的是PCI 2.1标准。

Pin－针状引脚，线
　内存金手指上的金属接触点。

Pipeline Burst Cache－管道突发式高速缓存
　这种Cache采用管道技术和突发模式，从而降低了等待时间、加快了内存存取速度。

Pipelining－管道技术，流水线技术
　把内存里待读取的数据载入到一小块由SRAM 构成的高速缓存中，然后立即从内存中读取下一批数据的一种内存技术。这样一来，内存读写分做两个阶段（流水线），一个是在SRAM读写的阶段，一个是向内存读写的阶段。